Jan Schmidt (Physiker)

Jan Schmidt 2018
Jan Schmidt auf der GADEST-Konferenz, Mondsee, Österreich, Sept. 2022

Jan Schmidt (* 29. Juni 1967 in Kiel) ist ein deutscher Physiker und Solarenergieforscher.

Nach seiner Promotion in Physik im Jahr 1998 an der Universität Hannover forschte er von 1998 bis 2000 als Stipendiat der Alexander-von-Humboldt-Stiftung an der Australian National University in Canberra, Australien, und von 2000 bis 2001 an der Universität Stuttgart. Seit 2001 forscht er auf den Gebieten Photovoltaik und Halbleiterphysik am Institut für Solarenergieforschung Hameln (ISFH).[1] 2005 habilitierte er sich an der Universität Hannover mit dem Thema Performance-Limiting Defects in Silicon Solar Cells. Im Jahr 2010 wurde er an der Leibniz Universität Hannover zum apl. Professor und im Jahr 2016 zum Universitätsprofessor für Photovoltaik-Materialforschung[2] ernannt. Sein h-Index liegt mit Stand August 2025 bei 76.[3]

Schmidt ist bekannt für seine Beiträge zur Aufklärung und Vermeidung lichtinduzierter Degradationsphänomene in Solarzellen.[4][5] So konnte er erstmals nachweisen, dass der Dotierstoff im Silizium-Basismaterial der Solarzelle einen entscheidenden Einfluss auf die Degradationseigenschaften hat und der Dotierstoff Bor möglichst vermieden werden sollte, wohingegen Gallium oder Phosphor keine Degradation zur Folge haben.[6] Diese Arbeiten hatten wesentlichen Einfluss in Bezug auf die Auswahl des Silizium-Ausgangsmaterials in hocheffizienten Solarzellen. Jan Schmidt hat auch zur Oberflächenpassivierung von Siliziumsolarzellen beigetragen[7] und das heute in industriell gefertigten Solarzellen eingesetzte Al2O3/SiNx-Passivierschichtsystem entwickelt.[8][9]

In der Arbeitsgruppe von Jan Schmidt wurden zudem zahlreiche hocheffiziente Prototyp-Solarzellen entwickelt, die später teilweise in die industrielle Solarzellenproduktion überführt wurden, wie z. B. PERC-Solarzellen mit Al2O3-passivierter Rückseite,[10] Solarzellen mit passivierenden Kontakten,[11][12] Solarzellen mit Heteroübergängen (a-Si/c-Si, Polymer/Silizium),[13][14] Laser-texturierte Solarzellen[15] sowie rückseitensammelnde IBC-Solarzellen.[16]

Commons: Jan Schmidt – Sammlung von Bildern

Einzelnachweise

  1. ↑ Homepage „Institut für Solarenergieforschung Hameln“ (ISFH)
  2. ↑ AG Schmidt, Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover
  3. ↑ Jan Schmidt. Profil bei Google Scholar.
  4. ↑ J. Schmidt, A. G. Aberle, R. Hezel: Investigation of carrier lifetime instabilities in Cz-grown silicon. In: Conference Record of the Twenty Sixth IEEE Photovoltaic Specialists Conference – 1997. IEEE, Anaheim, CA, USA 1997, ISBN 978-0-7803-3767-1, S. 13–18, doi:10.1109/PVSC.1997.653914.
  5. ↑ J. Schmidt, D. Bredemeier, D. C. Walter: On the Defect Physics Behind Light and Elevated Temperature-Induced Degradation (LeTID) of Multicrystalline Silicon Solar Cells. In: IEEE Journal of Photovoltaics. Band 9, Nr. 6, November 2019, ISSN 2156-3381, S. 1497–1503, doi:10.1109/JPHOTOV.2019.2937223.
  6. ↑ Jan Schmidt: Light-Induced Degradation in Crystalline Silicon Solar Cells. In: Solid State Phenomena. Band 95-96, 2004, ISSN 1662-9779, S. 187–196, doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.95-96.187.
  7. ↑ J. Schmidt, R. Peibst, R. Brendel: Surface passivation of crystalline silicon solar cells: Present and future. In: Solar Energy Materials and Solar Cells. Band 187, 1. Dezember 2018, ISSN 0927-0248, S. 39–54, doi:10.1016/j.solmat.2018.06.047.
  8. ↑ Patent EP2220689B1: Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberflächenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und entsprechende Solarzelle. Angemeldet am 6. November 2008, veröffentlicht am 27. August 2014, Anmelder: Institut für Solarenergieforschung GmbH, Technische Universiteit Eidhoven, Erfinder: Jan Schmidt, Bram Hoex.‌
  9. ↑ J. Schmidt, B. Veith, R. Brendel: Effective surface passivation of crystalline silicon using ultrathin Al2O3 films and Al2O3/SiNx stacks. In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 17. September 2009, S. 287–289, doi:10.1002/pssr.200903272.
  10. ↑ J. Schmidt, A. Merkle, R. Brendel, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels: Surface passivation of high-efficiency silicon solar cells by atomic-layer-deposited Al2O3. In: Progress in Photovoltaics: Research and Applications. Band 16, Nr. 6, 2008, ISSN 1099-159X, S. 461–466, doi:10.1002/pip.823.
  11. ↑ Dimitri Zielke, Jan Hendrik Petermann, Florian Werner, Boris Veith, Rolf Brendel, Jan Schmidt: Contact passivation in silicon solar cells using atomic‐layer‐deposited aluminum oxide layers. In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. Band 5, Nr. 8, August 2011, ISSN 1862-6254, S. 298–300, doi:10.1002/pssr.201105285.
  12. ↑ Valeriya Titova, Jan Schmidt: Implementation of full-area-deposited electron-selective TiOx layers into silicon solar cells. In: AIP Advances. Band 8, Nr. 12, 26. Dezember 2018, ISSN 2158-3226, S. 125023, doi:10.1063/1.5061924.
  13. ↑ Jan Schmidt, Valeriya Titova, Dimitri Zielke: Organic-silicon heterojunction solar cells: Open-circuit voltage potential and stability. In: Applied Physics Letters. Band 103, Nr. 18, 28. Oktober 2013, ISSN 0003-6951, S. 183901, doi:10.1063/1.4827303.
  14. ↑ Ralf Gogolin, Dimitri Zielke, Wilfried Lövenich, Rüdiger Sauer, Jan Schmidt: Silicon Heterojunction Solar Cells Combining an a-Si:H (n) Electron-collector with a PEDOT:PSS Hole-collector. In: Energy Procedia (= Proceedings of the 6th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (SiliconPV 2016)). Band 92, 1. August 2016, ISSN 1876-6102, S. 638–643, doi:10.1016/j.egypro.2016.07.030.
  15. ↑ Dimitri Zielke, David Sylla, Tobias Neubert, Rolf Brendel, Jan Schmidt: Direct Laser Texturing for High-Efficiency Silicon Solar Cells. In: IEEE Journal of Photovoltaics. Band 3, Nr. 2, April 2013, ISSN 2156-3381, S. 656–661, doi:10.1109/JPHOTOV.2012.2228302.
  16. ↑ Robert Bock, Susanne Mau, Jan Schmidt, Rolf Brendel: Back-junction back-contact n-type silicon solar cells with screen-printed aluminum-alloyed emitter. In: Applied Physics Letters. Band 96, Nr. 26, 28. Juni 2010, ISSN 0003-6951, S. 263507, doi:10.1063/1.3456536.
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